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力旺电子是半导体IP的专业嵌入硬核的供应商。As a world-leading provider of IP, eMemory has delivered best-in-class designs to over 1,500 foundries, IDMs and fabless companies globally since its establishment in 2000. We have received TSMC’s “Best IP Partner Award” each year since TSMC initiated this honor in 2010.
正如eNVM（嵌入式非挥发性存储器）市场的全球领导者，力旺电子提供了跨广泛的工艺技术的专利范围与业界最广泛采用的解决方案。我们也已成为行业的领导者，提供基于硅生物安全IP核。
力旺电子的eNVM IP产品包括一次性可编程存储器（NeoBit / NeoFuse）和多一次性可编程存储器（NeoMTP / NeoEE）。NeoPUF是信任技术的安全应用公司的嵌入式根。
NeoBit使用用于嵌入式非易失性存储器（eNVM）设计一种基于逻辑的过程，消除了通常与相关联eNVM需要额外的掩模层或额外的处理步骤。NeoBit无缝嵌入到各种CMOS工艺的，包括逻辑，混合模式，双极-CMOS-DMOS（BCD），模拟，射频（RF），和高电压（HV）。
更多信息：https://www.ememory.com.tw/en-US/Products/Product?guid=19080815022738
NeoFuse是小形状因子逻辑NVM技术具有低功率操作，高可靠性和安全性强的优点。它提供了从0.15um非易失性存储功能下降到领先5nm的FinFET技术节点。密度支持到4M位的范围内的64。
对于IP业务，NeoFuse提供了一个友好的用户界面和完全集成的OTP IP，最大限度地减少设计工作量，电路的复杂性时，嵌入的NVM的硅IP。内部电荷泵的设计和镶嵌在NeoFuse硅IP，使现场编程能力。力旺电子专有的ROM代码转换，NeoROM，也可用于降低编程成本一旦程序代码是固定的。
更多信息：https://www.ememory.com.tw/en-US/Products/Product?guid=19081314105118
NeoEE进行电子编程 - /使用擦除操作为16K位（最大）存储密度并用作一个真正的可重写存储器技术，允许多达500K P / E循环用零个附加的掩模层。字节 - 写功能也纳入在NeoEE硅IP来代替外部EEPROM的解决方案，并进一步降低了封装成本。
更多信息：https://www.ememory.com.tw/en-US/Products/Product?guid=19080716575506
NeoMTP是单聚嵌入式内存技术提供高NVM存储密度，以最低的成本实现1K耐力在行业内被发现。NeoMTP执行擦除操作长达512K位的存储密度，并作为一个真正的可重写存储器技术高达1K P / E与零附加的掩模层循环。NeoMTP技术配备了一个额外的擦除栅和非常相似NeoBit易于实现。
更多信息：https://www.ememory.com.tw/en-US/Products/Product?guid=19080815022063
NeoPUF是基于在硅制造过程中出现物理上不可克隆的变化的硬件的安全技术。在密码学中使用PUF（物理不可克隆功能）的底层的好处是它的“唯一性”和“不可预测性”。随着NeoPUF IP，用户可以生成具有高安全性要求的应用真正随机的序列。我们的技术创新，实现多层次的安全性，并通过消除对昂贵和复杂的ECC（纠错码）需要解决常见的PUF相关的问题。通过NeoPUF IP提取的随机数是唯一的和不可克隆，硅“指纹”适用范围广的安全目的，包括加密，鉴定，认证，安全密钥生成等。
更多信息：https://www.ememory.com.tw/en-US/Products/Product?guid=19081314113656
