联合王国
Moortec对工艺，电压和温度（PVT）提供了令人信服的嵌入式子系统IP解决方案监测，定位从先进的40nm节点CMOS技术下至7纳米。
Moortec在芯片感测解决方案支持半导体设计社会对提高设备的可靠性和增强的性能优化的需求，使方案，诸如DVFS，AVS和电源管理控制系统。Moortec提供IP应用，集成和测试设备在生产过程中出色的支持。
我们的高性能模拟和混合信号IP设计的消费者，手机，汽车，高性能计算和电信行业内交付给ASIC和片上系统（SoC）的技术。
成立于2005年Moortec提供监视，目标从40纳米先进节点CMOS技术下至7纳米的工艺，电压和温度（PVT）功能强大的嵌入式子系统IP解决方案。Moortec在芯片感测解决方案支持半导体设计社会对提高设备的可靠性和增强的性能优化的需求，使方案，诸如DVFS，AVS和电源管理控制系统。Moortec提供IP应用，集成和测试设备在生产过程中出色的支持。
先进的CMOS技术的工艺变化已成为SoC器件的速度和动力性能有显著因素。Moortec的过程检测器（PD）将允许IC自确定其自己的制造过程的特点，提供了每个管芯的基础上进行系统优化的信息。
Moortec的嵌入式PD的IP地址以下应用：
过程检测器易于集成，兼容与标准CMOS工艺，并且具有用于容易控制和数据捕获几个数字接口的选项。
先进的节点CMOS器件电压供应受到电噪声，电源扰动，瞬态事件和毛刺。Moortec的范围电压监控IP，使得芯片开发商来测量芯片上的条件下，因此允许检测供应事件和进行优化的系统性能。
先进节点设计的芯片上的热监控和管理是SoC开发一个重要的考虑因素。Moortec的一系列高精度的温度传感器的IP允许设备性能优化和器件特性。
的PVT控制器提供一个单一的标准接口Moortec的嵌入式工艺，电压和温度（PVT）的感测子系统用于增加芯片的性能和可靠性系统。
片上PVT监视现在是28纳米（nm）和FinFET技术为基础的设计的一个关键的考虑因素。嵌入式SoC设计中更高的精度监视启用动态性能优化更大的机会，无论是低功率或更高的数据吞吐量，以及提供更大的器件的可靠性。感测管芯温度，检测逻辑速度和监控电源电压电平可被智能用于改变系统时钟频率和供应结构域的电压电平。的特别是嵌入式热监测的益处是通过评估在芯片内热点的电迁移效应，以提高设备的可靠性和寿命。
一个关键方面是，PVT数据收集可以“中的场”被施加到每一个装置中，要么在生产过程中或。Moortec认为，IC设计师在未来几年采用的策略将通过从芯片监测收集到的数据进行分析的严重影响。
