中芯国际

中芯国际是中国大陆首家提供40nm制程技术的铸造厂。中芯国际提供其40nm低漏(LL)工艺，具有三个阈值电压等级的1.1V核心器件，以及1.8V、2.5V和3.3V I/O选项，以满足各种设计应用要求。该40nm逻辑工艺结合了最先进的浸没式光刻、应变工程技术、超浅结和超低k介电介质，以实现功率和性能的优化。40nm制程技术可用于基带处理器、应用处理器、高清晰度视频处理器和其他消费和通信设备等应用中，实现高性能和低功耗。

65nm/55nm逻辑技术结合了改进的性能和降低的功耗，增加了设计可能性和成本效率。65nm/55nm逻辑处理标准产品包括低泄漏(LL)和通用用途(G)平台。LL和G进程提供了三个阈值电压核心器件和1.8V, 2.5V I/O选项，提供了一个灵活的设计平台。设计规则，规格和香料模型可用于65nm/55nm。关键IP已经为65nm LL准备好了，目前正在为55nm开发中。

中芯国际在我们的300mm工厂中有多款90nm的产品正在量产。凭借在工艺开发方面的丰富经验，中芯国际已使90nm技术成为全球客户的重要技术节点。我们的90nm工艺技术使用铜互连，低k材料生产高性能设备。中芯国际最先进的300mm生产设备确保了成本的最优化，为我们的客户提供进一步的技术改进资源。这种90nm技术满足了无线手机、数字电视、机顶盒、移动电视、PMPs、无线局域网和PC芯片组等应用对功率、性能和集成的日益严格的要求。此外，该技术可以定制，以适应各种设计要求，包括高速、低功耗、混合信号、射频，并提供嵌入式/SOI解决方案。

与中芯国际的0.15流径m技术相比，我们的0.13流径m技术可使模具尺寸大幅减小25%以上，性能提高高达30%。与我们的0.18的生产工艺相比，模具尺寸可减少50%以上，芯片性能提高50%以上。

中芯国际的0.13整流m工艺采用全铜互连方式，在实现成本优化的同时驱动高性能设备。采用8个金属层和长度为0.08流道m的多晶硅栅极，我们的0.13流道m技术提供核心电压为1.2V的通用器件和电源电压为2.5V或3.3V的I/Os选项。低压和低泄漏的选项正在大量生产中。

在速度、功率、密度和成本方面进行了优化后，中芯国际的0.18毫米工艺技术已被广泛应用于消费者、通信和计算领域。它还为客户提供灵活的解决方案，包括嵌入式存储器、混合信号或射频CMOS模块。

采用单一的多晶硅、六金属层工艺，该技术具有1.8V、3.3V和5V的多个电压，以及每mm2超过100,000门的高栅密度。

中芯国际为智能卡、消费类电子产品和其他各种应用提供性价比高的解决方案。我们的0.18 liu m工艺技术家族包括逻辑、混合信号/射频、高压、EEPROM和OTP技术。它们受到广泛的库和IP的支持。

中芯国际的0.25英寸m技术使高性能、低功耗集成电路(ICs)能够应用于高性能图形、微处理器、通信和计算机数据处理应用。逻辑以及混合信号/射频CMOS(用于3.3V和5V应用)提供。

中芯国际为智能卡、消费类电子产品和其他各种应用提供性价比高的解决方案。我们的0.35 liu m工艺技术家族包括逻辑、混合信号/射频、高压、EEPROM和OTP技术。它们受到广泛的库和IP的支持。

中芯国际提供具有成本竞争力的嵌入式非易失性存储器(NVM)技术，并具有成熟的制造能力。

中芯国际提供广泛的嵌入式NVM技术和全面的IP组合，以支持智能卡、MCU和SoC应用。这个嵌入式NVM IP提供了出色的程序和擦除性能，低功耗，优越的可靠性和数据保留。

中芯国际还提供从0.18光圈m到65nm的ETOX和Flash技术。这些工艺为客户提供高性价比、高性能、可靠、低功耗和高耐久性的产品。

中芯国际提供20 - 100v电压范围的沟槽MOSFET工艺，应用范围广泛，包括锂电池、笔记本电脑、手机、电动自行车等。0.18的生产槽工艺已经进入批量生产，大大减小了模具尺寸。

中芯国际提供行业领先的双极CMOS (BCD)电源管理平台，可定制CMOS密度，双极NPN和PNP设备的组合，以及高压LDMOS。

除了中芯国际的附属后端服务公司外，中芯国际提供一整套后端供应链管理服务，包括晶圆分类、晶圆碰撞、包装和组装以及最终测试服务。这个网络是由中芯国际的领先服务提供商组成的，他们根据客户的要求在中芯国际取得了一定的资质。