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TSI半导体公司是一家世界级的半导体技术开发和生产批量CMOS代工公司谁是大范围集成电路项目的理想合作伙伴。坐落在靠近客户的设计和工程团队，我们推动创新更接近硅谷的心脏。
我们使我们的客户的设备制造提供了前所未有的现场访问我们的加工车间和设备。而且，我们灵活的技术发展，客户加快学习周期得到他们的产品推向市场，通过更大的控制和他们的技术和知识产权的保护更快。
在我们的8英寸加利福尼亚Roseville网站，我们提供通用的工艺技术，其中包括模拟/混合信号，深亚微米，高电压BCDMOS和解决方案的一个阵列，例如新材料的结构和设备。专门代工服务包括汽车级，高电压BCDMOS，并利用新的材料，结构和设备的技术能力。
我们的工艺技术包括一系列逻辑CMOS的，包括高电压和超高电压节点。我们的0.18微米工艺平台是高度有效和灵活的，产生最可靠的硅芯片。我们的低电压工艺设有单和双栅极氧化物为1.8伏特（芯）（3.5nm的栅氧化），5伏（I / O）（栅极为12nm氧化物）和1.8 / 5伏组合（双栅极氧化物3.5nm的＆12.0nm）。添加额外的掩模高压N阱和高压P阱电气隔离。我们的模拟/混合信号/ RF处理支持一个4微米厚的模拟后端金属和单，双级MIM电容器用于各种低功率或高速的SoC。
TSI开发和商业化服务提供了成熟的工艺模块和工艺技术的工具箱。这些模块可以被组合和集成，以新颖技术提供了独特的，差异化的功能。
TSI半导体代工厂能够制造具有大阵列的通用于标准和特殊技术，包括模拟/混合信号，深亚微米，高电压BCDMOS和溶液工艺如新材料的结构和设备。我们的铸造厂是在与客户安排独特，让他们并排与我们的工程师在我们的代工携手并肩，维护IP安全性的最高水平，同时从现场的合作中受益。我们灵活的方式来开发和制造让客户有更广泛的比其他代工厂材料开发。
立即客户使用的硅验证的设计：
